:宏微科技控股子公司芯动能成功下线万只车规级电驱双面散热塑封模块,成为国内第二家具备此能力的公司。
:宏微科技与华虹宏力签署为期五年的《战略合作谅解备忘录》,共同致力于IGBT与FRD等产品的技术研发和市场拓展。
:宏微科技在第三代半导体领域取得多项技术突破,包括1200V SiC MOSFET芯片的成功研制并通过可靠性验证。
:宏微科技认为功率器件将在机器人行业智能化浪潮中成为核心受益环节,公司IGBT模块已开始应用于机器人场景。
资金流向显示,宏微科技当日主力资金净流出529.26万元,占总成交额4.88%;游资资金净流入427.07万元,占总成交额3.94%;散户资金净流入102.18万元,占总成交额0.94%。此外,3月18日宏微科技发生了一笔1081.9万元的大宗交易。
2024年年底,公司控股子公司芯动能第100万只车规级电驱双面散热塑封模块成功下线,成为国内第二家拥有大规模量产车规级双面散热塑封模块能力的半导体公司。该模块采用双面焊接、双面散热技术,封装形式兼容IGBT和SiC MOSFET芯片,能够满足200KW以内电机控制器的市场需求。公司2024年上半年推出的GVD模块及800V高压平台产品已批量交付,未来将依托第七代IGBT技术迭代及SiC MOSFET芯片研发成果,深化与核心车企合作,积极拓展新兴客户。
公司围绕超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术等核心技术不断创新,产品全面覆盖新能源汽车、新能源发电、储能和工业控制需求。相较M6i,M7i电流密度提升20%,开关损耗降低10%,最高工作温度达175℃,已实现关键性能指标对标国际先进水平。
宏微科技在第三代半导体领域取得了多项技术突破,包括车规级1200V SiC自研模块的研制,SiC混合模块在新能源汽车、UPS电源等领域的应用,1200V SiC MOSFET芯片的成功研制并通过可靠性验证,以及SiC SBD芯片的可靠性验证和小批量出货。此外,公司控股子公司上海宏微爱赛半导体有限公司于2024年12月正式成立,聚焦碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)以及高压大电流产品方向。
2025年年初,公司与华虹宏力签署为期五年的《战略合作谅解备忘录》,明确在IGBT与FRD等核心产品方面继续深入合作。双方通过联合成立研发项目组,共同致力于技术创新和平台优化,共同推动市场竞争力提升,助力国内功率半导体产业链的完善。
功率器件是机器人高效运行的核心,主要应用于电机驱动、电源管理及热控制等环节。未来,随着人形机器人产业化加速,第三代半导体渗透率将持续提升,功率器件有望成为智能化浪潮下的核心受益环节。公司IGBT模块已应用于机器人场景,未来将结合SiC/GaN技术优势,适时加大在热管理、电源管理等环节的投入,进一步拓展新兴应用场景。
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